Samsung wird 2025 2-Nanometer-Chips produzieren

Eines der wichtigen Projekte in den kommenden Jahren wird laut Zieldatum die Entwicklung und Inbetriebnahme einer 2-Nanometer-Bandbreite im zweiten Halbjahr 2025 sein. Samsung hat in der Forschungsphase noch nicht viele inhaltliche Informationen zu dem Projekt bereitgestellt. Es gibt so viele Hüllkurven, dass die Bandbreite zusätzlich zu dem immer häufiger verwendeten EUV, dh dem ultravioletten Lichtmodus, neue Transistoren verwendet. Wie seine Wettbewerber baut der Auftragnehmer seinen 2-Nanometer-Prozess auf GAA (Gate-All-Around), auch bekannt als Nanowire/Nano-Plate-Transistor, auf, der bessere elektrische Eigenschaften als der derzeit verwendete FinFET aufweist und gleichzeitig die Skalierbarkeit deutlich verbessert.

IT-Sicherheits-Crashtest für Autos ist keine Utopie mehr (x)

Automobilunternehmen müssen auch ernsthafte Erwartungen an die IT-Sicherheit erfüllen, da das Segment zu einem immer attraktiver werdenden Ziel wird.

IT-Sicherheits-Crashtest für Autos ist keine Utopie mehr (x) Automobilunternehmen müssen auch ernsthafte Erwartungen an die IT-Sicherheit erfüllen, da das Segment zu einem immer attraktiver werdenden Ziel wird.

Die zu erwartende Transistordichte des Prozesses, die in vier Jahren erscheinen wird, lässt sich nach aktuellen Planungen nur erahnen. Nach Angaben des IBM-Entwicklungslabors vor einigen Monaten kann der 2-Nanometer rund 333,33 Millionen Transistoren pro Quadratmillimeter aufnehmen, fast 96 Prozent mehr als der marktführende 5-Nanometer-TSMC-Prozess, der seither in Massenproduktion ist letztes Jahr.

Zusammengefasst bedeutet dies, dass pro Flächeneinheit fast doppelt so viele Transistoren hergestellt werden können, was die Chipfläche deutlich reduzieren oder den kritischen Wert bei unveränderter Fläche verdoppeln kann. Auch ist nicht auszuschließen, dass Samsung bei seiner 2-Nanometer-Entwicklung auch auf die Forschung von IBM zurückgreifen wird. Neben GlobalFoundries sind die beiden Unternehmen Mitglieder der Common Platform Semiconductor Alliance, während Samsung die neuesten Power-Prozessoren von IBM herstellt.

Der 2-Nanometer-Entwicklung wird der 3-Nanometer vorangehen, der nach aktuellen Planungen des südkoreanischen Auftragsfertigers erst 2023 mit deutlichem Abrutschen in Produktion gehen wird. Samsung kündigte 2018 an, Nanodraht-Transistoren bei 3 Nanometern einzusetzen. Bereits 2022, also im nächsten Jahr, versprach der damalige Auftragsfertiger, das Verfahren auf Basis nagelneuer Transistoren in Serie zu gehen. Allerdings ist die Entwicklung ins Stocken geraten, sodass die beiden Varianten 3GAAE (Gate-All-Around Early) und 3GAAP (Gate-All-Around Plus) erst in etwa zwei Jahren verfügbar sein werden.

Verdoppelung

Neben einigen hochmodernen Technologien legt Samsung heute auch großen Wert auf sehr begrenzte Produktionskapazitäten. Der Auftragnehmer plant kürzlich, sein derzeitiges Produktionsvolumen bis 2026 zu verdoppeln, wobei in einem ersten Schritt für 17 Milliarden US-Dollar neue Werkseinheiten in Amerika gebaut werden sollen.


Source: HWSW Informatikai Hírmagazin by www.hwsw.hu.

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